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Si1051X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
8
V GS = 5 V thr u 2.5 V
2.4
V GS = 2 V
2.0
6
1.6
4
V GS = 1.5 V
1.2
0.8
2
V GS = 1 V
0.4
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics Curves vs. Temp.
V GS = 1.5 V
800
0.3
V GS = 1.8 V
0.2
600
C iss
0.1
0.0
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
400
200
0
C rss
C oss
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
5
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 1.12 A
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V , I D = 1.12 A
4
1.4
V GS = 4.5 V , I D = 1.0 A
3
V DS = 4 V
V DS = 6.4 V
1.2
V GS = 4.5 V , I D = 0.60 A
2
1
0
1.0
0. 8
0.6
V GS = 1.5 V , I D = 0.50 A
0
2
4
6
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 74479
S10-2542-Rev. C, 08-Nov-10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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